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  • 1*1cm單層硅基底石墨烯(1*1cm單層)

    硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on Si 表面電阻:小于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

    訪問(wèn)次數(shù):1159
    產(chǎn)品價(jià)格:面議
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    更新日期:2024-06-03
  • 1*1'' 單層硅基底石墨烯(1*1'' 單層)

    硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si 表面電阻:小于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

    訪問(wèn)次數(shù):1100
    產(chǎn)品價(jià)格:面議
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    更新日期:2024-06-03
  • 1*1cm單層二氧化硅基底石墨烯

    二氧化硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on SiO2 表面電阻:小于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

    訪問(wèn)次數(shù):1226
    產(chǎn)品價(jià)格:面議
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    更新日期:2024-06-03
  • 1*1'' 單層二氧化硅基底石墨烯

    二氧化硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on SiO2 表面電阻:小于600Ω/sq 定做:<300Ω/sq 透明度: 95% 制備方法: 1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯 2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

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    產(chǎn)品價(jià)格:面議
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    更新日期:2024-06-03
  • 5*5cm銅基石墨烯薄膜

    形狀:可任意裁剪 尺寸:1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm 層數(shù):?jiǎn)螌? 晶粒:?jiǎn)尉?多晶,50~300um

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    產(chǎn)品價(jià)格:面議
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    更新日期:2024-06-03
  • 10*10cm銅基石墨烯薄膜

    形狀:可任意裁剪 尺寸:1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm 層數(shù):?jiǎn)螌? 晶粒:?jiǎn)尉?多晶,50~300um

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    產(chǎn)品價(jià)格:面議
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    更新日期:2024-06-03
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